日々の活動記録や、暇つぶしなどなど
できましたよ~!!
無事に動くようになった上に、特性もそこそこに抑えることができました。
参考ですが、50Ω抵抗負荷でTHD+Nは実用領域なら0.001%0.01%切れるようです。
部品選別するともちっと良くなりそうな雰囲気。
これも司さんのおかげです。
司さん宅でオーディオアナライザを借りながら助言をいただきここまで性能を出すことができました。
写真は司さんのT1をドライブしている様子。ハイインピーダンスの低能率ヘッドホンでもガンガンいけそうです。
ただ、若干DCドリフトが大きい(10mVくらい)ので、気にする人は外にカップリングコンデンサつけたほうがいいかもしれません。
細かい説明書とかはもうちょっと整備したら公開します。
ということで動作報告でした~
無事に動くようになった上に、特性もそこそこに抑えることができました。
参考ですが、50Ω抵抗負荷でTHD+Nは実用領域なら
部品選別するともちっと良くなりそうな雰囲気。
これも司さんのおかげです。
司さん宅でオーディオアナライザを借りながら助言をいただきここまで性能を出すことができました。
写真は司さんのT1をドライブしている様子。ハイインピーダンスの低能率ヘッドホンでもガンガンいけそうです。
ただ、若干DCドリフトが大きい(10mVくらい)ので、気にする人は外にカップリングコンデンサつけたほうがいいかもしれません。
細かい説明書とかはもうちょっと整備したら公開します。
ということで動作報告でした~
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お疲れ様でした
こんにちは。C78の会場で基板を購入しました。まずは部品を集めてからコツコツと気合いを入れて (!?) やります。
DCオフセット除去は初段がFETなら多重帰還という手があるのですが、バイポーラで100% DC-NFBをやるには帰還路に大容量のコンデンサが入るので好き嫌いが分かれるでしょうね。
アクティブDCサーボという手もあるにはありますが、わざわざそのためにオペアンプを追加するというのも… (汗)
あと、2SK170はドレイン-ソース間に互換性があるので逆差しでもOKです。ご参考まで。
DCオフセット除去は初段がFETなら多重帰還という手があるのですが、バイポーラで100% DC-NFBをやるには帰還路に大容量のコンデンサが入るので好き嫌いが分かれるでしょうね。
アクティブDCサーボという手もあるにはありますが、わざわざそのためにオペアンプを追加するというのも… (汗)
あと、2SK170はドレイン-ソース間に互換性があるので逆差しでもOKです。ご参考まで。
お疲れ様でした~
みなさんお疲れ様でした!
JG6DFKさん
購入ありがとうございます.なかなか部品点数も多いので頑張ってください^^;
>DCオフセット除去
そうなんですよね.ここが問題です.仰っているような対策はできるのですが,そもそも電圧利得が2倍と少ないので100%DC負帰還にしても半分にしかならない,というのもあります.
アクティブサーボはトランジスタでなんかうまく組めたら面白いんですがねw
J-FETの互換性は知っていますが,どうも若干の差はあるようです.構造を考えても,どこからその原因が出てくるのかよくわかりませんが…
JG6DFKさん
購入ありがとうございます.なかなか部品点数も多いので頑張ってください^^;
>DCオフセット除去
そうなんですよね.ここが問題です.仰っているような対策はできるのですが,そもそも電圧利得が2倍と少ないので100%DC負帰還にしても半分にしかならない,というのもあります.
アクティブサーボはトランジスタでなんかうまく組めたら面白いんですがねw
J-FETの互換性は知っていますが,どうも若干の差はあるようです.構造を考えても,どこからその原因が出てくるのかよくわかりませんが…
簡単に対策するなら…。
>STRVさんへ
アクティブじゃなくても、帰還掛かってるからパッシブサーボと言う手もあります。只、バイアス上手くあわせれば大きくても8mVとかそんなものだから必要なのかは謎ですが。
後、ちょっと気になる部分を追試すべくそろそろ基板作ろうかと思っています。
>JG6DFKさんへ
始めまして。よろしくお願いいたします。
FETの向きが逆だと、何故か特性が悪化すると言う現象はありました。記憶では、40%近く悪化したような記憶があります。
アクティブじゃなくても、帰還掛かってるからパッシブサーボと言う手もあります。只、バイアス上手くあわせれば大きくても8mVとかそんなものだから必要なのかは謎ですが。
後、ちょっと気になる部分を追試すべくそろそろ基板作ろうかと思っています。
>JG6DFKさんへ
始めまして。よろしくお願いいたします。
FETの向きが逆だと、何故か特性が悪化すると言う現象はありました。記憶では、40%近く悪化したような記憶があります。
対策
司さん
そうですね.バイアスをいいところに持ってくと±5mV位に収まりましたからね.
これ以上をパッシブなDCサーボ入れても…と思いますね.
xatsukiさん
ありがとうございます~
実は他からも指摘うけていたのですがなおすの忘れてました^^;
訂正しましたです~
そうですね.バイアスをいいところに持ってくと±5mV位に収まりましたからね.
これ以上をパッシブなDCサーボ入れても…と思いますね.
xatsukiさん
ありがとうございます~
実は他からも指摘うけていたのですがなおすの忘れてました^^;
訂正しましたです~
なんでだろう?
おはようございます。
司さん、こちらこそよろしくお願いします。
2SK170の向きですが、特に用途が定電流源ということもあり、なぜそこまで特性に影響するのか不思議ですね。ちなみに、これをデュアルにした2SK240の片側はメーカー自体が逆接に相当する指定をしていました。
同じJ-FETでも、サブストレートゲートがソースに接続されている高周波用で逆接禁止なのは納得できるのですが、今あれこれ考えるより組み立ててから考える方が早いのかもしれません。
司さん、こちらこそよろしくお願いします。
2SK170の向きですが、特に用途が定電流源ということもあり、なぜそこまで特性に影響するのか不思議ですね。ちなみに、これをデュアルにした2SK240の片側はメーカー自体が逆接に相当する指定をしていました。
同じJ-FETでも、サブストレートゲートがソースに接続されている高周波用で逆接禁止なのは納得できるのですが、今あれこれ考えるより組み立ててから考える方が早いのかもしれません。
内部容量の持ち方が異なるから?
>JG6DFKさんへ。
接続時の方向による内部容量の持ち方とか、そうした部分が影響してるのかも知れませんね。
特に、HA-10miniは内部補償を持たないので、些細な容量性の変化に敏感なのかもしれません。只、特性の話もバイアス電流を最適化する前の話でもあるので、ちゃんとした状態であればそんな変化は受けないのかもしれません。
自分は、FETとかトランジスタって動作原理位しか理解してないので的外れ意見な気もしますが…。
接続時の方向による内部容量の持ち方とか、そうした部分が影響してるのかも知れませんね。
特に、HA-10miniは内部補償を持たないので、些細な容量性の変化に敏感なのかもしれません。只、特性の話もバイアス電流を最適化する前の話でもあるので、ちゃんとした状態であればそんな変化は受けないのかもしれません。
自分は、FETとかトランジスタって動作原理位しか理解してないので的外れ意見な気もしますが…。
ゲインについて質問です
こんにちわ。
早速ですがゲイン値について質問です。
現在使用中のPHPAは12.2dB(High) 6dB(Low)
という仕様なのですが、DAPのLineoutの出力が
大きいのでゲインをLowにしても爆音です。
27Ωのイヤホンに75Ωの抵抗を直列に繋げて凌いでます。
漠然とした質問ではありますが、HA10miniのゲイン値はどのくらいでしょうか?
早速ですがゲイン値について質問です。
現在使用中のPHPAは12.2dB(High) 6dB(Low)
という仕様なのですが、DAPのLineoutの出力が
大きいのでゲインをLowにしても爆音です。
27Ωのイヤホンに75Ωの抵抗を直列に繋げて凌いでます。
漠然とした質問ではありますが、HA10miniのゲイン値はどのくらいでしょうか?
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・HA10mini基板セット
・HA10mini終段基板
・HA10miniハイパワーキット
・HPA&Analog vol.6冊子版
・同人誌DL委託
・同人誌DL委託(旧サークル名)
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