いまいち

どうもうまいこと行かない。

結局調べてみたところ±0.4Vつまり0.8Vp-pまではひずみなく増幅できるみたい。
と言ってもひずみ率計を持っているわけではないので、オシロを使って目視での確認になりますが。
入力と出力の振幅を等しくした上で差分を取ってやったときの波形がひずみ成分です。
入出力が完全に相似形であるならば差は0となるはずです。

そんな感じでいろいろ条件を変えてやってみたんですが、バイアス電流によってころころ変わる。
まぁトランジスタの動作点が変わるので当然です。

しっかし、その動作点の決定がいまいち納得できなくて悩んでます。

ここはもうちょっと真面目に回路設計してみるかなぁ。
現状ではマクロに考えてるだけなんで。


そんなこんなでいろいろ実験していますが、正直言ってこの低電圧領域はトランジスタの「使ってはいけない部分」です。
データシート見ればわかりますが、hパラメータなんてVCE=1Vまでしか載ってないし。
hoeとかhreとかはVCEが3Vくらいないと安定しないし。そら歪みも大きくなりますよ。

カーブトレーサ作ってトランジスタの特性を自分で取らないとちゃんとした設計はできないぞ。

結局はもっと測定器とデータが必要ということですねorz

ひずみ率計はほしいなぁ。作るにしてもそれを測る計測器は全く持ってないから作れないし。
けど中古でも安いのなんか無いしなぁ。やっぱ作るのか?